光登伯效应

在半导体物理学中，光登伯效应（以其发现者 Harry Dember 的名字命名）是在电荷载流子超快光生后在半导体表面附近形成电荷偶极子。 偶极子的形成是由于空穴和电子的迁移率（或扩散常数）的差异，再加上表面提供的对称性破缺导致在垂直于表面的方向上有效的电荷分离。 在一个孤立的样本中，电流的宏观流动被禁止，快速载流子（通常是电子）被减慢，而慢速载流子（通常是空穴）被称为登伯场的电场加速。

光登伯效应的主要应用之一是为太赫兹时域光谱生成太赫兹 (THz) 辐射脉冲。 这种效应存在于大多数半导体中，但由于 InAs 和 InSb 等窄带半导体（主要是砷化物和锑化物）的高电子迁移率，这种效应尤为强烈。

光登伯太赫兹发射不应与表面场发射相混淆，如果半导体的表面能带落在其价带和导带之间，就会发生表面场发射，这会产生一种称为费米能级钉扎的现象，在当时导致， 能带弯曲并因此在靠近表面的地方形成耗尽层或积累层，这有助于电荷载流子的加速。 根据能带弯曲的方向，这两种效应可能对偶极子的形成有建设性或破坏性的贡献。