微下拉晶体成长法

微下拉 (μ-PD) 方法是一种晶体生长技术，其基础是熔化物质通过坩埚底部的微通道连续传输。 熔体的连续凝固在位于坩埚下方的液/固界面上进行。 在稳定状态下，熔体和晶体都以恒定（但通常不同）的速度下拉。

许多不同类型的晶体通过这种技术生长，包括 Y3Al5O12、Si、Si-Ge、LiNbO3、α-Al2O3、Y2O3、Sc2O3、LiF、CaF2、BaF2 等。

用于大多数 μ-PD 晶体生长的标准程序已得到很好的发展。 生长的一般阶段包括：

• 用起始材料（粉末混合物）装入坩埚
• 加热坩埚直到坩埚中的原材料完全熔化
• 晶种向上移动，直到它与半月板或坩埚接触

• 半月板的形成和种子顶部的部分熔化
• 通过适当调整坩埚温度和晶种位置来修正弯液面的形状
• 通过向下拉晶种生长晶体
• 从弯液面分离生长的晶体
• 将系统（包括晶体和坩埚）冷却至室温