氧化物半导体

氧化物半导体，金属的阳离子是用作多种类数的带隙具有可见光范围的电磁波传输通过。它们中的一些表现出高的载流子浓度和迁移率，并且已经设计出利用这些特性的各种应用。典型示例包括氧化锌，二氧化锡，氧化铟和ITO（通常为In ₂ O ₃：SnO ₂ = 90:10 [wt％]）。许多是电子的电荷载体的n型是，氧化铜或氧化银，也一氧化锡，如孔中电荷载流子的p型也有报道。典型应用包括透明导电膜和超导体，传感器等进行了研究。

• 田村秀夫，米山宏，《氧化物半导体的电化学性质》，《电化学和工业物理化学》，1980年，第48卷
• Shirae Wakabayashi Takemori，“使用金属氧化物半导体气体传感器的气体识别系统，第四届化学传感器研究会议”（1985年）。
• 义和西原，“ 过渡金属氧化物和物理性质的电子结构 ” 1994年“杂志日本物理学会，的”，第49卷，第10号P.811-818。