光刻技术

光刻技术（英文：photolithography）通过将涂有光敏材料的材料的表面以一定图案（也称为图案曝光或按图像曝光）曝光来曝光已曝光和未曝光的区域。生成模式的技术包括 主要用于制造半导体元件、印刷电路板、印刷板、液晶显示面板、等离子显示面板等。

在半导体元件的制造中，如下进行光刻。硅、砷化镓，如一个半导体晶片上的光致抗蚀剂被称为光敏有机材料涂布，步进称为曝光使用的装置中，标线片被称为光掩模印刷元件，在所描绘的电路的图案。在下文中，将更详细地描述该过程。

使用抗蚀剂绘制的图案创建目标电路。该过程根据所使用的晶片而不同，并且当要去除不需要的部分时执行蚀刻，并且当添加必要的电路时执行膜形成/剥离。

当期望简单地在晶片上提供不平坦时，或者当最初在晶片上形成图案时，通过蚀刻去除不必要的部分。有干蚀刻和湿蚀刻。由于抗蚀剂的剩余部分没有通过蚀刻去除，因此在晶片上形成了残留的图案。最后，用溶剂等将抗蚀剂完全除去。

另一对晶片的金属或氧化物，如果你想给等，真空沉积或溅射、CVD通过技术如沉积到。最后，当用溶剂等去除抗蚀剂时，在抗蚀剂上形成的材料也同时被去除（称为剥离），从而可以在晶片上添加期望的图案。