异丁基锗烷

异丁基锗烷 (IBGe，化学式：(CH3)2CHCH2GeH3，是一种有机锗化合物。它是一种无色、易挥发的液体，用于 MOVPE（金属有机气相外延）作为锗烷的替代品。IBGe 用于 Ge 薄膜和含 Ge 半导体薄膜的沉积，例如应变硅应用中的 SiGe 和 NAND Flash 应用中的 GeSbTe。

IBGe 是一种用于半导体化学气相沉积 (CVD) 和原子层沉积 (ALD) 的非自燃液体源。 它具有非常高的蒸气压，并且比锗烷气体的危害要小得多。 IBGe 还提供较低的分解温度（分解开始于约 325-350 °C），加上低碳掺入和减少外延生长的锗中主族元素杂质的优点，包括 Ge、SiGe、SiGeC、应变层等 硅、GeSb 和 GeSbTe。

Rohm and Haas（现为陶氏化学公司的一部分）、IMEM 和 CNRS 开发了一种工艺，可在金属有机气相外延 (MOVPE) 反应器中使用异丁基锗在低温下在锗上生长锗膜。

该研究针对 Ge/III-V 异质器件。 已经证明，可以在低至 350 °C 的温度下生长高质量的锗薄膜。 这种新前体可实现 350 °C 的低生长温度，消除了 III-V 材料中锗的记忆效应。 最近，IBGe 被用于在 Si 或 Ge 衬底上沉积 Ge 外延膜，然后是无记忆效应的 InGaP 和 InGaAs 层的 MOVPE 沉积，以实现三结太阳能电池和 III-V 族化合物与硅和锗的集成。