二碲化钨

碲化钨 (IV) (WTe2) 是一种无机半金属化合物。 电阻与磁场的平方成正比并且没有饱和。 这可能是由于该材料是补偿半金属的xxx个例子，其中移动空穴的数量与电子的数量相同。 二碢化铅具有层状结构，类似于许多其他过渡金属二硫化物，但它的层非常扭曲，以至于它们中许多共同的蜂窝晶格在 WTe2 中很难识别。 钨原子反而形成之字形链，被认为表现为一维导体。 与其他二维半导体中的电子不同，WTe2 中的电子可以轻松地在层之间移动。

当受到压力时，WTe2 中的磁阻效应会降低。 压力超过 10.5 GPa 时，磁阻消失，材料变成超导体。 在 13.0 GPa 时，超导性的转变发生在 6.5 K 以下。

WTe2 被预测为 Weyl 半金属，特别是xxx个 II 型 Weyl 半金属的例子，其中 Weyl 节点存在于电子和空穴袋的交叉处。

二碢化铜可以剥落成薄片，直至单层。 最初预测单层 WTe2 在 1T’ 晶相中仍为外尔半金属。 后来通过传输测量表明，在 50K 以下，单层 WTe2 的作用类似于绝缘体，但具有与局部静电门掺杂无关的偏移电流。

当使用使沿器件边缘的传导短路的接触几何形状时，该偏移电流消失，表明这种近乎量化的传导局限于边缘——与作为二维拓扑绝缘体的单层 WTe2 的行为一致。 两层和三层厚样品的相同测量显示了预期的半金属响应。 使用其他技术的后续研究与传输结果一致，包括使用角分辨光电子能谱和微波阻抗显微镜的研究。 还观察到单层 WTe2 在中度掺杂下具有超导性，临界温度可通过掺杂水平调节。

还观察到两层和三层厚的 WTe2 是极性金属，同时具有金属行为和可切换的电极化。 从理论上讲，极化起源于层间的垂直电荷转移，这是通过层间滑动切换的。