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浮体效应

简介浮体效应是由绝缘体上硅 (SOI) 技术实现的晶体管的体电势对其偏置历史和载流子复合过程的依赖性影响。晶体管的主体在绝缘基板上形成一个电容器。电荷在...

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栅氧化层

栅氧化层栅极氧化物是将 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的栅极端子与下面的源极和漏极端子以及晶体管导通时连接源极和漏极的导电通道分开的介电层 ....

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结型场效应管

结型场效应管结型场效应晶体管（结型场效应管）是最简单的一种场效应晶体管。结构型应用管是三端半导体器件，可用作电子控制开关或电阻器，或用于构建放大器...

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阈值电压

简介场效应晶体管 (FET) 的阈值电压通常缩写为 Vth 或 VGS(th)，是在源极端子和漏极端子之间形成导电路径所需的最小栅源电压 (VGS)。它是保持电源效率的重要...

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