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绝缘体

绝缘体半导体垫子金属晶格能隙理论能带莫特绝缘体六硼化钐

能隙

能隙在固态物理学中,带隙(也称为能隙)是固体中不存在电子态的能量范围。 在固体的电子能带结构图中,带隙通常是指绝缘体和半导体中价带顶部和导带底部之间...
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莫特绝缘体

莫特绝缘体莫特绝缘体是一类材料,根据传统的能带理论,它们被认为可以导电,但结果却是绝缘体(尤其是在低温下)。 这些绝缘体由于强烈的电子-电子相互作用...
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六硼化钐

六硼化钐六矽化钐 (SmB6) 是一种中价化合物,其中钐以 Sm2+ 和 Sm3+ 离子的形式以 3:7 的比例存在。 它属于近藤绝缘子的一类。在 50 K 以上的温度下,它的特...
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半金属 (能带理论)

半金属 (能带理论)半金属是导带底和价带顶重叠很小的材料。根据电子能带理论,固体可分为绝缘体、半导体、半金属或金属。 在绝缘体和半导体中,填充的价带通...
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拓扑绝缘体

拓扑绝缘体拓扑绝缘体是一种材料,其内部表现为电绝缘体,而其表面表现为电导体,这意味着电子只能沿着材料的表面移动。拓扑绝缘体是绝缘体,原因与普通(普...
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浮体效应

简介浮体效应是由绝缘体上硅 (SOI) 技术实现的晶体管的体电势对其偏置历史和载流子复合过程的依赖性影响。 晶体管的主体在绝缘基板上形成一个电容器。 电荷在...
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MIS电容

MIS电容MIS电容器是由一层金属、一层绝缘材料和一层半导体材料组成的电容器。它的名字来源于金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的首字母。与MOS场效应晶体管结构一...
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击穿电压

击穿电压绝缘体的击穿电压是使绝缘体的一部分变为导电的最小电压。对于二极管,击穿电压是使二极管明显反向传导的最小反向电压。一些器件(如TRIAC)也有正向...
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