纳米压印光刻

纳米压印光刻技术是目前正在开发的一种用于半导体的精细图案转移技术。

常规的图案创建缩小投影曝光装置（步进器）已被使用，小型化由于，极紫外曝光装置和金钱和图案掩模飞涨，犹豫半导体制造商引入已经相继被阻止。如果纳米压印光刻技术普遍增加生产率，则有望xxx到的半导体制造成本的降低做出贡献。

1995年，普林斯顿大学的 Chou等人提出了一种热循环纳米压印方法。作为分辨率约为10nm的处理技术，它引起了人们的关注。

在热循环纳米压印法中，将抗蚀剂涂覆在硅基板上，加热至200℃并软化，然后使由电子束光刻系统形成的模具紧密接触，然后冷却以形成图案。但是，由于进行加热和冷却，因此单位时间的处理能力低，尺寸精度存在问题。

另一方面，存在使用紫外线固化树脂的光学纳米压印技术。这不同于热循环纳米压印，加热，还有一个优点，即，因为它不冷却与其相关联的热膨胀，也不会发生与热收缩的问题。

对准（定位）的精度很重要，如果将纳米压印应用于22 nm设计规则，则对准精度必须为3 nm或更小，这是一个瓶颈。此外，由于其与晶片接触，存在由于使用期间的掩模污染而导致污染的风险，并且需要频繁检查。这些问题的解决已成为传播的问题。

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